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图片:高Tg玻璃环氧多层材料-MCL-E-679GT

MCL-E-679GT是一款具备高弹性率、低热膨胀特性的无卤素环保型高Tg多层材料。
适合于薄型半导体封装(SiP,PoP)。

特点

  • 热膨胀系数小(与传统材料相比α1,α2降低20%)、弹性率高可降低薄型PKG芯片封装时的翘曲。
  • 利用铜箔的形状,可通过半加成制程工艺进行布线。
  • 卓越的电气特性,适合于高速信息化材料。
  • 卓越的钻孔加工性能与耐CAF性能,适合用作高密度布线材料。

技术内容及特性

项目 单位 MCL-E-679GT系列
MCL-E-679GT,GTB MCL-E-679GT(L)
介电常数 1GHz 4.6~4.8 4.5~4.7
介电损耗角正切 1GHz 0.012~0.014 0.013~0.015
玻璃态转化温度 165~175 175~185
热膨胀系数 X,Y ppm℃ 11~13 10~12
Z 20~30 19~21
弯曲模量 GPa 28~33 27~32
剥离强度 18μm
一般箔
kN/m 1.0~1.2 0.9~1.0
耐热性 全銅付288℃
漂锡
分钟 5~10 5~10
热传导率 W/m・℃ 0.65~0.75 0.75~0.85

图片:树脂设计

图片:翘曲量

用途

  • 用于半导体封装基板(SiP,PoP),积层用内层芯材等。